依據(jù)電力電子器件能夠控制電路信號的程度可以分以下種類：
            1、半控制器件，如晶閘管
            2、全控制型設(shè)備，如GTO(門可關(guān)閉晶閘管)、GTR(電力晶管)、PowerMOSFET(電力場效應(yīng)晶管)、IGBT(絕緣柵雙極晶管)
            3、不可控器件，如電力二極管。
        依據(jù)驅(qū)動電路在電力電子器件控制端與公共端之間的信號的性質(zhì)可分為：
            1.IGBT、PowerMOSFET、SITH等電壓驅(qū)動器件
            2.電流驅(qū)動器件，如晶閘管、GTO和GTR。

        依據(jù)驅(qū)動電路在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形能分為：
            1.脈沖觸發(fā)型，如晶閘管、GTO
            2.電子控制型，如GTR、PowerMOSFET、IGBT。
        依據(jù)電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況可分為：
            1.雙極部件，如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR
            2.單極器件，如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管
            3.MCT(MOS控制晶閘管)、IGBT、SITH備。
        電力電子器件的特點：
            在電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中，直接承擔(dān)電力變化或控制任務(wù)的電路被稱為主電路，其中電子器件是電力電子器件。廣義上電力電子器件分為電真空設(shè)備和半導(dǎo)體設(shè)備。自20世紀(jì)50年代以來，真空管僅用于高頻(如微波)的大功率高頻電源，而電力半導(dǎo)體設(shè)備已取代汞弧整流器、閘管等真空設(shè)備，成為絕對的主力。因此，電力電子器件多指電力半導(dǎo)體設(shè)備，采用的主要材料仍然是硅。
        與處理信息的電子器件相比，電力電子器件又具備以下特征：
            (1)處理電力的能力，即承受電壓和電流的能力，從毫瓦級到兆瓦級，大多遠大于處理信息的電子器件。
            (2)一般在開關(guān)狀態(tài)下工作，即導(dǎo)通時(通態(tài))阻抗小，接近短路，管壓下降接近零，電流由外回路決定的阻斷時(斷態(tài))阻抗大，接近斷路，電流幾乎為零，管兩端的電壓由外回路決定。這些報關(guān)特性和參數(shù)也是電力電子器件的重要特性。
            (3)在實際應(yīng)用中，電力電子器件通常需要信息電子電路來控制。主回路與控制回路之間，必須擴大一定的中間回路控制回路的信號。這就是電力電子器件的驅(qū)動回路。
            (4)為了確保損失產(chǎn)生的熱量不會導(dǎo)致設(shè)備溫度過高而損壞，不僅要考慮設(shè)備封裝上的散熱設(shè)計，還要在工作中安裝散熱器。這是因為導(dǎo)通時設(shè)備有一定的通態(tài)壓降，形成通態(tài)損失，阻斷時設(shè)備有微小的斷態(tài)漏電流，形成斷態(tài)損失，在設(shè)備開通或關(guān)閉過程中發(fā)生開通損失和關(guān)閉損失，總稱開關(guān)損失。對于一些部件來說，驅(qū)動電路注入的功率也是部件發(fā)熱的原因之一。通常，電力電子器件的斷路漏電流極小，通態(tài)損失是設(shè)備電力損失的主要原因。設(shè)備開關(guān)頻率高時，開關(guān)損失增大，可能成為設(shè)備功率損失的主要原因。